#physics 

## Общие свойства
$\huge \rho_{металлы}<<\rho_{полупроводники}<<\rho_{диэлектрики}$

Объяснение свойств полупроводников:
![[Pasted image 20230503004532.png]] (полупроводник (Ge))
При образовании ковалентной связи объединяются внешние электроны с двумя противоположными [[Спин|спинами]]. 

**ОТЛИЧИТЕЛЬНАЯ ОСОБЕННОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ - УМЕНЬШЕНИЕ УДЕЛЬНОГО [[Электрическое сопротивление|СОПРОТИВЛЕНИЯ]] ПРИ ПОНИЖЕНИИ ТЕМПЕРАТУРЫ**
Это связано с тем, что с ростом температуры усиливается генерация свободных носителей заряда, т.е. электронов и *дырок*.
![[Pasted image 20230503004807.png]]
## Дырки
**Дырка** - вакантное место электрона в полупроводнике.

## Примеси
Электрический ток в чистых проводниках создается направленным движением электронов против поля, а дырок - по полю.

### Донорная (n-типа)
Атомы такой примеси содержат более 4 электронов, поэтому появляется свободный электрон (валентность Si и Ge - IV).
Пример: As
### Акцепторная (p-типа)
Атомы такой примеси содержат менее 4 электронов, поэтому образуется дырка.
Пример: In (индий)

## p-n переход
![[Pasted image 20230503005454.png]]
За счет диффузии электроны будут проникать в p-область, а дырки - в n-область. В результате образуется внутренее запирающее [[Электрическое поле|поле]], препятствующее дальнейшей диффузии [[Электрические заряды|зарядов]]
![[Pasted image 20230503005558.png]]

p-n переход можно включить двумя способами:
1. прямое включение (p к положительному полюсу, n - к отрицательному)
2. обратное включение (наоборот)

При прямом включении внешнее поле компенсирует внутреннее, и пойдет ток:
![[Pasted image 20230503005853.png]]

В обратном случае:
![[Pasted image 20230503005940.png]]

На pn-переходе основан принцип работы [[Диод|диода]]:
![[Pasted image 20230503010201.png]]